北京德诺伊流体科技有限公司

1.采用TrenchFET MOSFET技术的高压开关，

2.极低的导通电阻，能量损耗小

3.极高的EMC耐受性，

4.即使在较高的开关频率下也具有较低的控制功率。

5.型号包含有关电压，电流和开启行为的编码信息。第一个数字代表以kV为单位的电压，短划线前的最后一个数字表示开启行为，（0 =固定导通时间，1 =可变导通时间）。短划线后面的数字表示以安培x10为单位的电流。特殊功能在第二个破折号后由字母编码。示例HTS 40-06-B：HTS = HV晶体管开关，4 =4 kV，0=固定导通时间，06=60安培，B=沟槽FET

6.HFB

高频突发：通过外部缓冲电容提高驱动器的突发能力。如果产生超过10个间距小于10μs的脉冲，建议使用。

HFS

高频开关：外部提供辅助驱动电压（根据型号为50-350 VDC）。必须超过规定的“最大工作频率”。 

低通：控制输入端的低通滤波器。传播延迟时间将增加~50 ns。抖动+ 500 ps。在高速应用中提高了抗噪性和不太关键的布线。

DT

延迟触发：“总开启时间”不可逆转地增加到>1μs。 

软启动：开启上升时间增加约20％。如果不需要尽可能短的边缘陡度，则简化的EMC设计和不太重要的布线。 （3）

S-OFF

软关断：关闭上升时间增加约20％。如果不需要尽可能短的边缘陡度，则简化的EMC设计和不太重要的布线。 （3）

S-TT

软转换时间：开启上升时间和关闭上升时间增加约20％。如果不需要尽可能短的边缘陡度，则简化的EMC设计和不太重要的布线。 

TT-C

定制过渡时间：定制上升和下降时间，以满足个性化设计要求。

TT-P

可编程转换时间：通过外部编程电阻在一定限制内调节开关速度。

OT-1μ

导通时间延长：导通时间增加至1μs。关断上升时间> 500 ns。

OT-10μ

导通时间延长：导通时间增加至10μs。关断上升时间>5μs。

OT-100μ

导通时间延长：导通时间增加至100μs。关断上升时间>50μs

OT-C

定制准时：根据客户的规格准时。 100 ns和100μs之间的任何值。

OT-P

可编程导通时间：通过外部编程电阻在一定限制内导通时间可调

MIN-PS

最小脉冲间距：单独增加恢复时间，以确保独立于控制脉冲间隔的最小HV脉冲间隔。用于安全相关电路。